FQD3P50TM
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FQD3P50TM

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FQD3P50TM-DG

وصف:

MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
وصف تفصيلي:
P-Channel 500 V 2.1A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA

المخزون:

12839348
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FQD3P50TM المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.1A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
660 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
FQD3P50

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FQD3P50TM-DG
FQD3P50TMCT
FQD3P50TMTR
FQD3P50TMDKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

MTD6N20ET5G

MOSFET N-CH 200V 6A DPAK

onsemi

FCHD125N65S3R0-F155

MOSFET N-CH 650V 24A TO247

onsemi

FDB8870

MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB

onsemi

FCPF380N60E

MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F