رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQD5N60CTM-WS
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQD5N60CTM-WS-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 2.8A (Tc) 2.5W (Ta), 49W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
12839172
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQD5N60CTM-WS المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
670 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 49W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
FQD5N60
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FQD5N60CTM-WSDKR
FQD5N60CTM_WS
FQD5N60CTM_WSCT-DG
FQD5N60CTM-WSTR
FQD5N60CTM_WSDKR
FQD5N60CTM_WSDKR-DG
FQD5N60CTM_WSCT
FQD5N60CTM_WSTR-DG
FQD5N60CTM_WSTR
FQD5N60CTM-WSCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FQD5N60CTM
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
FQD5N60CTM-DG
سعر الوحدة
0.42
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
FDD5N60NZTM
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
45384
DiGi رقم الجزء
FDD5N60NZTM-DG
سعر الوحدة
0.40
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDS4072N7
MOSFET N-CH 40V 12.4A 8SO
HUFA76443S3ST
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
FCD2250N80Z
MOSFET N-CH 800V 2.6A DPAK
