رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
HUF75639G3
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
HUF75639G3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 56A TO247-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 56A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247-3
المخزون:
415 قطع جديدة أصلية في المخزون
12839182
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
HUF75639G3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
UltraFET™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
56A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
25mOhm @ 56A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
130 nC @ 20 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2000 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
200W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247-3
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
HUF75639
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
HUF75639G3-DG
HUF75639G3FS
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDP2710
MOSFET N-CH 250V 50A TO220-3
FDMS0310S
MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN
FCP9N60N
MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3
