الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQL40N50F
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQL40N50F-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 40A TO264-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 40A (Tc) 460W (Tc) Through Hole TO-264-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12838794
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQL40N50F المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
FRFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
40A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
110mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7500 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
460W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-264-3
العبوة / العلبة
TO-264-3, TO-264AA
رقم المنتج الأساسي
FQL40
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
FQL40N50F
مخططات البيانات
FQL40N50F
ورقة بيانات HTML
FQL40N50F-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
375
اسماء اخرى
2832-FQL40N50F
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXFK44N50P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
270
DiGi رقم الجزء
IXFK44N50P-DG
سعر الوحدة
7.24
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXFK80N50P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
1077
DiGi رقم الجزء
IXFK80N50P-DG
سعر الوحدة
13.32
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXFK48N50
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
167
DiGi رقم الجزء
IXFK48N50-DG
سعر الوحدة
15.73
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQU7P06TU
MOSFET P-CH 60V 5.4A IPAK
FQB70N10TM_AM002
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
FCH023N65S3L4
MOSFET N-CH 650V 75A TO247
FDMA008P20LZ
MOSFET P-CHANNEL 20V 12A 6PQFN