رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQP10N60C
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQP10N60C-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 9.5A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
12849995
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQP10N60C المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
730mOhm @ 4.75A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2040 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
156W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FQP1
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STP13NK60Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
770
DiGi رقم الجزء
STP13NK60Z-DG
سعر الوحدة
1.07
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP10NK60Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
905
DiGi رقم الجزء
STP10NK60Z-DG
سعر الوحدة
1.46
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP9N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
20
DiGi رقم الجزء
STP9N60M2-DG
سعر الوحدة
0.54
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
AOT10N60
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
769
DiGi رقم الجزء
AOT10N60-DG
سعر الوحدة
0.60
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDD6N20TF
MOSFET N-CH 200V 4.5A D-PAK
FQA9N50
MOSFET N-CH 500V 9.6A TO3P
IPB45N06S3-16
MOSFET N-CH 55V 45A TO263-3
