رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQP11N40
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQP11N40-DG
وصف:
MOSFET N-CH 400V 11.4A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 400 V 11.4A (Tc) 147W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
12849672
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQP11N40 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
400 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11.4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
480mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1400 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
147W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FQP1
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXFP12N50P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
300
DiGi رقم الجزء
IXFP12N50P-DG
سعر الوحدة
1.71
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP11NK40Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
78
DiGi رقم الجزء
STP11NK40Z-DG
سعر الوحدة
0.75
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFB11N50APBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
2122
DiGi رقم الجزء
IRFB11N50APBF-DG
سعر الوحدة
0.98
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDT86113LZ
MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
FDP5800
MOSFET N-CH 60V 14A/80A TO220-3
FDC365P
MOSFET P-CH 35V 4.3A SUPERSOT6
