الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQP13N10
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQP13N10-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 12.8A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 12.8A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12837397
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQP13N10 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12.8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
180mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
450 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
65W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FQP13
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
FQP13N10
مخططات البيانات
FQP13N10
ورقة بيانات HTML
FQP13N10-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDP61N20
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
103
DiGi رقم الجزء
FDP61N20-DG
سعر الوحدة
1.10
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PSMN009-100P,127
المُصنِّع
NXP Semiconductors
الكمية المتاحة
291
DiGi رقم الجزء
PSMN009-100P,127-DG
سعر الوحدة
1.44
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PSMN027-100PS,127
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
21891
DiGi رقم الجزء
PSMN027-100PS,127-DG
سعر الوحدة
0.67
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PSMN015-100P,127
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
7793
DiGi رقم الجزء
PSMN015-100P,127-DG
سعر الوحدة
1.06
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PSMN7R0-100PS,127
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
4441
DiGi رقم الجزء
PSMN7R0-100PS,127-DG
سعر الوحدة
1.38
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDP8878
MOSFET N-CH 30V 40A TO220-3
FDFS6N754
MOSFET N-CH 30V 4A 8SOIC
FDI8442
MOSFET N-CH 40V 23A/80A I2PAK
FDS4685
MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC