رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQP44N10F
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQP44N10F-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 43.5A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 43.5A (Tc) 146W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
12848715
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQP44N10F المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
43.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
39mOhm @ 21.75A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1800 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
146W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FQP4
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FQP44N10
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
2393
DiGi رقم الجزء
FQP44N10-DG
سعر الوحدة
0.76
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
STP30NF10
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
991
DiGi رقم الجزء
STP30NF10-DG
سعر الوحدة
0.79
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRL540NPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
14956
DiGi رقم الجزء
IRL540NPBF-DG
سعر الوحدة
0.47
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AOD2916
MOSFET N CH 100V 5.5A TO252
AON7702
MOSFET N-CH 30V 13.5A/36A 8DFN
NTD3808N-35G
MOSFET N-CH 16V 12A/76A IPAK
