رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQP58N08
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQP58N08-DG
وصف:
MOSFET N-CH 80V 57.5A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 57.5A (Tc) 146W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
12849008
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQP58N08 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
57.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
24mOhm @ 28.75A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1900 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
146W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FQP5
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STP60NF10
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
980
DiGi رقم الجزء
STP60NF10-DG
سعر الوحدة
1.23
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP80NF10
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
455
DiGi رقم الجزء
STP80NF10-DG
سعر الوحدة
1.50
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP40NF10
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
569
DiGi رقم الجزء
STP40NF10-DG
سعر الوحدة
0.95
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PSMN017-80PS,127
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
5950
DiGi رقم الجزء
PSMN017-80PS,127-DG
سعر الوحدة
0.70
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
