الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQPF13N50
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQPF13N50-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220F
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 12.5A (Tc) 56W (Tc) Through Hole TO-220F-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12839039
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQPF13N50 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
430mOhm @ 6.25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2300 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
56W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F-3
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
FQPF1
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
FQPF13N50
ورقة بيانات HTML
FQPF13N50-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STP14NK50ZFP
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
831
DiGi رقم الجزء
STP14NK50ZFP-DG
سعر الوحدة
1.77
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP11NK50ZFP
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
154
DiGi رقم الجزء
STP11NK50ZFP-DG
سعر الوحدة
1.30
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STF11NM50N
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STF11NM50N-DG
سعر الوحدة
1.37
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
TK13A55DA(STA4,QM)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
TK13A55DA(STA4,QM)-DG
سعر الوحدة
1.21
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STF14NM50N
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
942
DiGi رقم الجزء
STF14NM50N-DG
سعر الوحدة
1.59
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQT3P20TF
MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4
FDMS86581
MOSFET N-CH 60V 30A 8PQFN
FDFS2P103
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
HUFA75337P3
MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3