FQPF17N08L
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FQPF17N08L

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FQPF17N08L-DG

وصف:

MOSFET N-CH 80V 11.2A TO220F
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 11.2A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220F-3

المخزون:

12851101
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FQPF17N08L المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11.2A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
100mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
11.5 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
520 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
30W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F-3
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
FQPF1

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
IRFI530NPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
7816
DiGi رقم الجزء
IRFI530NPBF-DG
سعر الوحدة
0.52
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FCMT299N60

MOSFET N-CH 600V 12A POWER88

onsemi

IRFR220BTM_FP001

MOSFET N-CH 200V 4.6A DPAK

rohm-semi

R6524KNJTL

MOSFET N-CH 650V 24A LPTS

onsemi

FCPF7N60NT

MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220F