رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FCMT299N60
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FCMT299N60-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 12A POWER88
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 12A (Ta) 125W (Tc) Surface Mount Power88
المخزون:
2390 قطع جديدة أصلية في المخزون
12851108
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FCMT299N60 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
SuperFET® II
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
299mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1948 pF @ 380 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
125W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
Power88
العبوة / العلبة
4-PowerTSFN
رقم المنتج الأساسي
FCMT299
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
1990-FCMT299N60TR
FCMT299N60DKR
FCMT299N60TR
2156-FCMT299N60
FCMT299N60CT
1990-FCMT299N60DKR
1990-FCMT299N60CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPL60R299CPAUMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IPL60R299CPAUMA1-DG
سعر الوحدة
1.29
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FCMT299N60
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
2390
DiGi رقم الجزء
FCMT299N60-DG
سعر الوحدة
1.85
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFR220BTM_FP001
MOSFET N-CH 200V 4.6A DPAK
R6524KNJTL
MOSFET N-CH 650V 24A LPTS
FCPF7N60NT
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220F
