رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQPF19N20
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQPF19N20-DG
وصف:
MOSFET N-CH 200V 11.8A TO220F
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 11.8A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220F-3
المخزون:
12849387
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQPF19N20 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11.8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
150mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1600 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
50W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F-3
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
FQPF19
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
2832-FQPF19N20
2156-FQPF19N20-OS
FAIFSCFQPF19N20
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RCX200N20
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
118
DiGi رقم الجزء
RCX200N20-DG
سعر الوحدة
0.56
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STF20NF20
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1061
DiGi رقم الجزء
STF20NF20-DG
سعر الوحدة
0.73
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STF19NF20
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1731
DiGi رقم الجزء
STF19NF20-DG
سعر الوحدة
0.56
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDBL86062-F085
MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF
AOT2910L
MOSFET N CH 100V 6A TO220
HUFA76619D3
MOSFET N-CH 100V 18A IPAK
