HUFA76619D3
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

HUFA76619D3

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

HUFA76619D3-DG

وصف:

MOSFET N-CH 100V 18A IPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 18A (Tc) 75W (Tc) Through Hole I-PAK

المخزون:

12849393
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

HUFA76619D3 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
UltraFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
18A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
85mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
767 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
75W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
I-PAK
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
HUFA76

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
75

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
IRLU024NPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1893
DiGi رقم الجزء
IRLU024NPBF-DG
سعر الوحدة
0.30
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFU3910PBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
3219
DiGi رقم الجزء
IRFU3910PBF-DG
سعر الوحدة
0.36
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FQB32N20CTM

MOSFET N-CH 200V 28A D2PAK

onsemi

FQPF20N06L

MOSFET N-CH 60V 15.7A TO220F

onsemi

FQP7N40

MOSFET N-CH 400V 7A TO220-3

onsemi

FDC653N

MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6