رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
HUFA76619D3
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
HUFA76619D3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 18A IPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 18A (Tc) 75W (Tc) Through Hole I-PAK
المخزون:
12849393
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
HUFA76619D3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
UltraFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
18A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
85mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
767 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
75W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
I-PAK
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
HUFA76
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRLU024NPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1893
DiGi رقم الجزء
IRLU024NPBF-DG
سعر الوحدة
0.30
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFU3910PBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
3219
DiGi رقم الجزء
IRFU3910PBF-DG
سعر الوحدة
0.36
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQB32N20CTM
MOSFET N-CH 200V 28A D2PAK
FQPF20N06L
MOSFET N-CH 60V 15.7A TO220F
FQP7N40
MOSFET N-CH 400V 7A TO220-3
