FQPF1N60
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FQPF1N60

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FQPF1N60-DG

وصف:

MOSFET N-CH 600V 900MA TO220F
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 900mA (Tc) 21W (Tc) Through Hole TO-220F-3

المخزون:

12838922
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FQPF1N60 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
900mA (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
11.5Ohm @ 450mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
150 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
21W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F-3
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
FQPF1

معلومات إضافية

الباقة القياسية
1,000

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FQD7N10LTF

MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK

onsemi

FDB047N10

MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

onsemi

FQPF7N80C

MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220F

onsemi

FDZ375P

MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP