رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQPF9N25C
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQPF9N25C-DG
وصف:
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 8.8A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3
المخزون:
12847336
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQPF9N25C المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8.8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
430mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
710 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
38W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F-3
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
FQPF9
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RCX100N25
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
429
DiGi رقم الجزء
RCX100N25-DG
سعر الوحدة
0.86
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
FQPF27N25
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
315
DiGi رقم الجزء
FQPF27N25-DG
سعر الوحدة
1.38
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STF16NF25
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
886
DiGi رقم الجزء
STF16NF25-DG
سعر الوحدة
0.86
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AOT66616L
MOSFET N-CH 60V 38.5A/140A TO220
FQU20N06LTU
MOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK
FDP5N50NZ
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3
