FQPF9N25CT
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FQPF9N25CT

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FQPF9N25CT-DG

وصف:

MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 8.8A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3

المخزون:

12848195
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FQPF9N25CT المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8.8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
430mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
710 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
38W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F-3
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
FQPF9

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
2832-FQPF9N25CT-488

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
RCX100N25
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
429
DiGi رقم الجزء
RCX100N25-DG
سعر الوحدة
0.86
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STF16NF25
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
886
DiGi رقم الجزء
STF16NF25-DG
سعر الوحدة
0.86
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FCH190N65F-F155

MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247

onsemi

NTD4804NAT4G

MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A DPAK

onsemi

FDMT800120DC

MOSFET N-CH 120V 20A 8DLCOOL88

onsemi

FQD10N20TM

MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK