رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FW217A-TL-2W
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FW217A-TL-2W-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 35V 6A 8SOIC
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 35V 6A 2.2W Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
12836278
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FW217A-TL-2W المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate, 4.5V Drive
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
35V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
39mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
470pF @ 20V
الطاقة - الحد الأقصى
2.2W
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
رقم المنتج الأساسي
FW217
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
2156-FW217A-TL-2WTR
FW217A-TL-2WOSDKR
FW217A-TL-2W-DG
FW217A-TL-2WOSCT
FW217A-TL-2WOSTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SI4936ADY-T1-E3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
15033
DiGi رقم الجزء
SI4936ADY-T1-E3-DG
سعر الوحدة
0.73
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDMD8900
MOSFET 2N-CH 30V 19A/17A 12POWER
ECH8655R-R-TL-H
MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8
FDME1024NZT
MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6MICROFET
