الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
HUF75309P3
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
HUF75309P3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 55V 19A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 55 V 19A (Tc) 55W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12836937
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
HUF75309P3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
UltraFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
55 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
19A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
70mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
24 nC @ 20 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
350 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
55W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
HUF75
معلومات إضافية
الباقة القياسية
400
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRLZ34NPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
30318
DiGi رقم الجزء
IRLZ34NPBF-DG
سعر الوحدة
0.47
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PHP20N06T,127
المُصنِّع
NXP Semiconductors
الكمية المتاحة
8865
DiGi رقم الجزء
PHP20N06T,127-DG
سعر الوحدة
0.53
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP20NF06L
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
620
DiGi رقم الجزء
STP20NF06L-DG
سعر الوحدة
0.78
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
IRFZ34NPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
5019
DiGi رقم الجزء
IRFZ34NPBF-DG
سعر الوحدة
0.32
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRLZ44NPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2680
DiGi رقم الجزء
IRLZ44NPBF-DG
سعر الوحدة
0.44
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FCPF099N65S3
MOSFET N-CH 650V 30A TO220F
HUF76629D3ST-F085
MOSFET N-CH 100V 20A TO252
FQU8N25TU
MOSFET N-CH 250V 6.2A IPAK
FDD8445-F085P
MOSFET N-CH 40V 50A TO252