رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFU220_R4941
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFU220_R4941-DG
وصف:
MOSFET N-CH 200V 4.6A I-PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 4.6A (Tc) 50W (Tc) Through Hole I-PAK
المخزون:
12836307
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFU220_R4941 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.6A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
800mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
330 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
50W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
I-PAK
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
IRFU2
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
IRFU220FS
IRFU220_R4941-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFU220PBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
2912
DiGi رقم الجزء
IRFU220PBF-DG
سعر الوحدة
0.52
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFU220NPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2099
DiGi رقم الجزء
IRFU220NPBF-DG
سعر الوحدة
0.36
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SK4094-1E
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
2SK4210
MOSFET N-CH 900V 10A TO3PB
FDB38N30U
MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
