رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
KSH112GTM
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
KSH112GTM-DG
وصف:
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Surface Mount DPAK
المخزون:
12840353
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
KSH112GTM المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN - Darlington
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
2 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
100 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
3V @ 40mA, 4A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
20µA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
1000 @ 2A, 3V
الطاقة - الحد الأقصى
1.75 W
التردد - الانتقال
25MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
حزمة جهاز المورد
DPAK
رقم المنتج الأساسي
KSH11
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
2SD1980TL
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
5674
DiGi رقم الجزء
2SD1980TL-DG
سعر الوحدة
0.32
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
NJVMJD112T4G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
2500
DiGi رقم الجزء
NJVMJD112T4G-DG
سعر الوحدة
0.24
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
MJD112RLG
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
MJD112RLG-DG
سعر الوحدة
0.35
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
NJVMJD112G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
NJVMJD112G-DG
سعر الوحدة
0.22
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
MJD112T4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
9138
DiGi رقم الجزء
MJD112T4-DG
سعر الوحدة
0.26
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SB15990RL
TRANS PNP 40V 1.5A MINIP3-F1
2SD2185GRL
TRANS NPN 50V 3A MINIP3-F2
KSC3265YMTF
TRANS NPN 25V 0.8A SOT23-3
