رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NDS0610-G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NDS0610-G-DG
وصف:
FET -60V 10.0 MOHM SOT23
وصف تفصيلي:
P-Channel 60 V 120mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
المخزون:
12856449
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NDS0610-G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
120mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
10Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
2.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
79 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
360mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
NDS061
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
488-NDS0610-GTR
488-NDS0610-GCT
488-NDS0610-GDKR
NDS0610-G-DG
2832-NDS0610-GTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NDP6030PL
MOSFET P-CH 30V 30A TO220-3
NTR1P02LT3G
MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
NTPF082N65S3F
MOSFET N-CH 650V 40A TO220F
