الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTB190N65S3HF
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTB190N65S3HF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 162W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
17 قطع جديدة أصلية في المخزون
12844452
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTB190N65S3HF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
FRFET®, SuperFET® III
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
20A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
190mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 430µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1610 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
162W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
NTB190
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
NTB190N65S3HF
مخططات البيانات
NTB190N65S3HF
ورقة بيانات HTML
NTB190N65S3HF-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
488-NTB190N65S3HFCT
488-NTB190N65S3HFTR
NTB190N65S3HF-DG
2832-NTB190N65S3HFTR
488-NTB190N65S3HFDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
R6020KNJTL
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
1540
DiGi رقم الجزء
R6020KNJTL-DG
سعر الوحدة
1.47
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STB21N65M5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1748
DiGi رقم الجزء
STB21N65M5-DG
سعر الوحدة
2.31
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXFA22N65X2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
250
DiGi رقم الجزء
IXFA22N65X2-DG
سعر الوحدة
2.56
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPB60R199CPATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
3260
DiGi رقم الجزء
IPB60R199CPATMA1-DG
سعر الوحدة
1.72
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
NTB190N65S3HF
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
17
DiGi رقم الجزء
NTB190N65S3HF-DG
سعر الوحدة
2.03
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTMFS4935NCT1G
MOSFET N-CH 30V 13A/93A 5DFN
AOSP21307
MOSFET P-CH 30V 14A 8SOIC
AONS36316
MOSFET N-CH 30V 28A/32A 8DFN
NTD4910NT4G
MOSFET N-CH 30V 8.2A/37A DPAK