الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTD12N10G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTD12N10G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 12A (Ta) 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) Surface Mount DPAK
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12858555
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTD12N10G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
165mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
550 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DPAK
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
NTD12
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
NTD12N10
مخططات البيانات
NTD12N10G
ورقة بيانات HTML
NTD12N10G-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
NTD12N10G-DG
NTD12N10GOS
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FQD13N10TM
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
FQD13N10TM-DG
سعر الوحدة
0.28
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDD1600N10ALZ
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
6334
DiGi رقم الجزء
FDD1600N10ALZ-DG
سعر الوحدة
0.33
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PHT6NQ10T,135
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
4949
DiGi رقم الجزء
PHT6NQ10T,135-DG
سعر الوحدة
0.28
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BUK7275-100A,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
68370
DiGi رقم الجزء
BUK7275-100A,118-DG
سعر الوحدة
0.40
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NVTFS4824NWFTAG
MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFN
NVTFWS005N04CTAG
MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN
NTD5802NT4G
MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK
NDD02N40-1G
MOSFET N-CH 400V 1.7A IPAK