رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTD4857NA-1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTD4857NA-1G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 25V 12A/78A IPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 25 V 12A (Ta), 78A (Tc) Through Hole I-PAK
المخزون:
12845859
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTD4857NA-1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
25 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
32 nC @ 10 V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1960 pF @ 12 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
I-PAK
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
NTD48
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
2156-NTD4857NA-1G-ON
ONSONSNTD4857NA-1G
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AOTF5N100
MOSFET N-CH 1000V 4A TO220-3F
FDB42AN15A0
MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO263AB
FDA16N50
MOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PN
