رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTD4959N-35G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTD4959N-35G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 9A/58A IPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 9A (Ta), 58A (Tc) 1.3W (Ta), 52W (Tc) Through Hole I-Pak
المخزون:
12847193
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTD4959N-35G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9A (Ta), 58A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 11.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
9mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
25 nC @ 11.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1456 pF @ 12 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.3W (Ta), 52W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
I-PAK
العبوة / العلبة
TO-251-3 Stub Leads, IPak
رقم المنتج الأساسي
NTD49
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPD30N03S4L09ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
48073
DiGi رقم الجزء
IPD30N03S4L09ATMA1-DG
سعر الوحدة
0.31
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DMN3010LK3-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
1639
DiGi رقم الجزء
DMN3010LK3-13-DG
سعر الوحدة
0.19
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDD8880
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
13967
DiGi رقم الجزء
FDD8880-DG
سعر الوحدة
0.27
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDB86563-F085
MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
FDBL86561-F085
MOSFET N-CH 60V 300A 8HPSOF
FDMC8854
MOSFET N-CH 30V 15A 8MLP
