رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTD70N03R
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTD70N03R-DG
وصف:
MOSFET N-CH 25V 10A/32A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 25 V 10A (Ta), 32A (Tc) 1.36W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount DPAK
المخزون:
12858122
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTD70N03R المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
25 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10A (Ta), 32A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
13.2 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1333 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.36W (Ta), 62.5W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DPAK
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
NTD70
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
2156-NTD70N03R-ON
ONSONSNTD70N03R
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPD090N03LGATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
94138
DiGi رقم الجزء
IPD090N03LGATMA1-DG
سعر الوحدة
0.23
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTMFS6B05NT3G
MOSFET N-CH 100V 16A/104A 5DFN
NDS356P
MOSFET P-CH 20V 1.1A SUPERSOT3
NTD20N06T4G
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK