رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTF2955PT1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTF2955PT1G-DG
وصف:
MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223
وصف تفصيلي:
P-Channel 60 V 1.7A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
المخزون:
12938869
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTF2955PT1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.7A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
185mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
14.3 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
492 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-223 (TO-261)
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
رقم المنتج الأساسي
NTF295
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NTF2955T1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
5249
DiGi رقم الجزء
NTF2955T1G-DG
سعر الوحدة
0.39
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
NTF5P03T3G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
18618
DiGi رقم الجزء
NTF5P03T3G-DG
سعر الوحدة
0.34
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STN3P6F6
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STN3P6F6-DG
سعر الوحدة
0.32
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NVMFS5C466NLWFT1G
MOSFET N-CH 40V 16A/52A 5DFN
NVMTS1D2N08H
MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW
IRF630PBF
MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB