NTHD3100CT1

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

NTHD3100CT1

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

NTHD3100CT1-DG

وصف:

MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET

وصف تفصيلي:

Mosfet Array 20V 2.9A, 3.2A 1.1W Surface Mount ChipFET™

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12840307

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

NTHD3100CT1 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

-

سلسلة

-

حالة المنتج

Obsolete

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

تكوين

N and P-Channel

ميزة FET

Logic Level Gate

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

20V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

2.9A, 3.2A

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

80mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

1.2V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

165pF @ 10V

الطاقة - الحد الأقصى

1.1W

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

العبوة / العلبة

8-SMD, Flat Lead

حزمة جهاز المورد

ChipFET™

رقم المنتج الأساسي

NTHD3100

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

3,000

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

RoHS non-compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء

NTHD3100CT1G

المُصنِّع

onsemi

الكمية المتاحة

5410

DiGi رقم الجزء

NTHD3100CT1G-DG

سعر الوحدة

0.34

نوع الاستبدال

Direct

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

FDS8958A-F085

MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC

onsemi

FDS9933A

MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC

EFC6605R-V-TR

MOSFET 2N-CH 20V 10A 6EFCP

onsemi

EMH2412-TL-H

MOSFET 2N-CH 24V 6A 8EMH