رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTHD4102PT3G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTHD4102PT3G-DG
وصف:
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 2.9A 1.1W Surface Mount ChipFET™
المخزون:
12846012
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTHD4102PT3G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.9A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8.6nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
750pF @ 16V
الطاقة - الحد الأقصى
1.1W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SMD, Flat Lead
حزمة جهاز المورد
ChipFET™
رقم المنتج الأساسي
NTHD4102
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NTHD4102PT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
NTHD4102PT1G-DG
سعر الوحدة
0.34
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
NX7002AKS,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
17157
DiGi رقم الجزء
NX7002AKS,115-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
