NTMFS4927NT1G
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

NTMFS4927NT1G

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

NTMFS4927NT1G-DG

وصف:

MOSFET N-CH 30V 7.9A/38A 5DFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 7.9A (Ta), 38A (Tc) 920mW (Ta), 20.8W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

المخزون:

10 قطع جديدة أصلية في المخزون
12856412
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

NTMFS4927NT1G المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Cut Tape (CT)
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7.9A (Ta), 38A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
913 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
920mW (Ta), 20.8W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN, 5 Leads
رقم المنتج الأساسي
NTMFS4927

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
1,500
اسماء اخرى
NTMFS4927NT1GOSTR
NTMFS4927NT1GOSCT
2156-NTMFS4927NT1G-OS
NTMFS4927NT1G-DG
NTMFS4927NT1GOSDKR
ONSONSNTMFS4927NT1G

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

NTD4808N-35G

MOSFET N-CH 30V 10A/63A IPAK

onsemi

NTB60N06T4G

MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK

onsemi

NTMFS4937NCT1G

MOSFET N-CH 30V 10.2A 5DFN

onsemi

NVTFS6H854NWFTAG

MOSFET N-CH 80V 9.5A/44A 8WDFN