رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTMTS0D7N06CTXG
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTMTS0D7N06CTXG-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 60.5A (Ta), 464A (Tc) 5W (Ta), 294.6W (Tc) Surface Mount 8-DFNW (8.3x8.4)
المخزون:
2184 قطع جديدة أصلية في المخزون
12842572
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTMTS0D7N06CTXG المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
60.5A (Ta), 464A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
0.72mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
152 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
11535 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
5W (Ta), 294.6W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-DFNW (8.3x8.4)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
NTMTS0
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
2156-NTMTS0D7N06CTXG-488
488-NTMTS0D7N06CTXGDKR
488-NTMTS0D7N06CTXGCT
488-NTMTS0D7N06CTXGTR
NTMTS0D7N06CTXG-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NTMTS0D7N06CTXG
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
2184
DiGi رقم الجزء
NTMTS0D7N06CTXG-DG
سعر الوحدة
2.82
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTHS5404T1G
MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET
NTMFS6B03NT1G
MOSFET N-CH 100V 19A/132A 5DFN
NTK3134NT1H
MOSFET N-CH 20V 0.89A SOT723
