رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NVD5C688NLT4G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NVD5C688NLT4G-DG
وصف:
MOSFET N-CHANNEL 60V 17A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 17A (Tc) 18W (Tc) Surface Mount DPAK
المخزون:
2450 قطع جديدة أصلية في المخزون
12858337
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NVD5C688NLT4G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
17A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
27.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
3.4 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
400 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
18W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DPAK
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
NVD5C688
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
2832-NVD5C688NLT4GTR
NVD5C688NLT4GOSTR
NVD5C688NLT4GOSDKR
NVD5C688NLT4GOSCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTR4502PT1
MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
UPA1727G-E1-A
TRANSISTOR
NTD4970NT4G
MOSFET N-CH 30V 8.5A/36A DPAK
