رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NVGS4111PT1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NVGS4111PT1G-DG
وصف:
MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 3.7A (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
المخزون:
1898 قطع جديدة أصلية في المخزون
12855235
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NVGS4111PT1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.7A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
60mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
750 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
630mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
6-TSOP
العبوة / العلبة
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
رقم المنتج الأساسي
NVGS4111
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
2832-NVGS4111PT1GTR
488-NVGS4111PT1GTR
488-NVGS4111PT1GCT
NVGS4111PT1G-DG
488-NVGS4111PT1GDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NVGS4111PT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
1898
DiGi رقم الجزء
NVGS4111PT1G-DG
سعر الوحدة
0.21
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
PMN50EPEX
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
2970
DiGi رقم الجزء
PMN50EPEX-DG
سعر الوحدة
0.14
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTLUS3A40PZTAG
MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
RJK4002DJE-00#Z0
MOSFET N-CH 400V 3A TO92MOD
NVTFS5124PLWFTAG
MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN