NVH4L020N120SC1
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

NVH4L020N120SC1

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

NVH4L020N120SC1-DG

وصف:

SICFET N-CH 1200V 102A TO247
وصف تفصيلي:
N-Channel 1200 V 102A (Tc) 510W (Tc) Through Hole TO-247-4L

المخزون:

862 قطع جديدة أصلية في المخزون
12938864
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

NVH4L020N120SC1 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
SiCFET (Silicon Carbide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
102A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
20V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
28mOhm @ 60A, 20V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.3V @ 20mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
220 nC @ 20 V
Vgs (ماكس)
+25V, -15V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2943 pF @ 800 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
510W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247-4L
العبوة / العلبة
TO-247-4
رقم المنتج الأساسي
NVH4L020

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
488-NVH4L020N120SC1

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

NTF2955PT1G

MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223

onsemi

NVMFS5C466NLWFT1G

MOSFET N-CH 40V 16A/52A 5DFN

onsemi

NVMTS1D2N08H

MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW

vishay-siliconix

IRF630PBF

MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB