رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NVH4L020N120SC1
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NVH4L020N120SC1-DG
وصف:
SICFET N-CH 1200V 102A TO247
وصف تفصيلي:
N-Channel 1200 V 102A (Tc) 510W (Tc) Through Hole TO-247-4L
المخزون:
862 قطع جديدة أصلية في المخزون
12938864
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NVH4L020N120SC1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
SiCFET (Silicon Carbide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
102A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
20V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
28mOhm @ 60A, 20V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.3V @ 20mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
220 nC @ 20 V
Vgs (ماكس)
+25V, -15V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2943 pF @ 800 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
510W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247-4L
العبوة / العلبة
TO-247-4
رقم المنتج الأساسي
NVH4L020
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
488-NVH4L020N120SC1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTF2955PT1G
MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223
NVMFS5C466NLWFT1G
MOSFET N-CH 40V 16A/52A 5DFN
NVMTS1D2N08H
MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW
