رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NVJS4405NT1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NVJS4405NT1G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 25V 1A SC88
وصف تفصيلي:
N-Channel 25 V 1A (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
المخزون:
862 قطع جديدة أصلية في المخزون
12933583
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NVJS4405NT1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
25 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.7V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
350mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
1.5 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
60 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
630mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SC-88/SC70-6/SOT-363
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
رقم المنتج الأساسي
NVJS4405
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
NVJS4405NT1G-DG
488-NVJS4405NT1GTR
488-NVJS4405NT1GDKR
ONSONSNVJS4405NT1G
488-NVJS4405NT1GCT
2156-NVJS4405NT1G-OS
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NVJS4405NT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
862
DiGi رقم الجزء
NVJS4405NT1G-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
NTJS4405NT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
3000
DiGi رقم الجزء
NTJS4405NT1G-DG
سعر الوحدة
0.10
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
HAT1038RJ-EL
P-CHANNEL POWER MOSFET
2SK1399-T2B-A
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
HUF76145S3ST
N-CHANNEL POWER MOSFET