رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NVTYS010N06CLTWG
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NVTYS010N06CLTWG-DG
وصف:
T6 60V N-CH LL IN LFPAK33
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 13A (Ta), 51A (Tc) 3.1W (Ta), 47W (Tc) Surface Mount 8-LFPAK
المخزون:
2990 قطع جديدة أصلية في المخزون
12974561
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NVTYS010N06CLTWG المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
13A (Ta), 51A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
9.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 35µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
910 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.1W (Ta), 47W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-LFPAK
العبوة / العلبة
SOT-1205, 8-LFPAK56
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
488-NVTYS010N06CLTWGCT
488-NVTYS010N06CLTWGDKR
488-NVTYS010N06CLTWGTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NVTYS010N06CLTWG
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
2990
DiGi رقم الجزء
NVTYS010N06CLTWG-DG
سعر الوحدة
0.34
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AO3496
MOSFET N-CH SOT-23
GT110N06S
N60V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<1
SIR582DP-T1-RE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
