PJD50P04-AU_L2_000A1
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

PJD50P04-AU_L2_000A1

Product Overview

المُصنّع:

Panjit International Inc.

رقم الجزء DiGi Electronics:

PJD50P04-AU_L2_000A1-DG

وصف:

40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
وصف تفصيلي:
P-Channel 40 V 9A (Ta), 50A (Tc) 2.4W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount TO-252

المخزون:

2110 قطع جديدة أصلية في المخزون
12972327
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

PJD50P04-AU_L2_000A1 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
PANJIT
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9A (Ta), 50A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
12mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
23 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2767 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.4W (Ta), 75W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
PJD50

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
3757-PJD50P04-AU_L2_000A1TR
3757-PJD50P04-AU_L2_000A1DKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
panjit

PJQ5445-AU_R2_000A1

40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

nexperia

PSMN4R3-40MSHX

MOSFET N-CH 40V 95A LFPAK33

panjit

PJW5N06A_R2_00001

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJD16P06A-AU_L2_000A1

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M