رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DTC114ESATP
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
DTC114ESATP-DG
وصف:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.05A SPT
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 50 mA 250 MHz 300 mW Through Hole SPT
المخزون:
13520428
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
uPfO
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DTC114ESATP المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
50 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
المقاوم - القاعدة (R1)
10 kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
10 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
30 @ 5mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 500µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
250 MHz
الطاقة - الحد الأقصى
300 mW
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
SC-72 Formed Leads
حزمة جهاز المورد
SPT
رقم المنتج الأساسي
DTC114
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DTC143ZUBTL
TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
DTD743EETL
TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A EMT3
EML17T2R
TRANS PREBIAS PNP 50V EMT5
