EMA3T2R
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

EMA3T2R

Product Overview

المُصنّع:

Rohm Semiconductor

رقم الجزء DiGi Electronics:

EMA3T2R-DG

وصف:

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت
13523929
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
kIAW
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

EMA3T2R المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
4.7kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
-
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
100 @ 1mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 250µA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA (ICBO)
التردد - الانتقال
250MHz
الطاقة - الحد الأقصى
150mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
حزمة جهاز المورد
EMT5
رقم المنتج الأساسي
EMA3T2

مواصفات تقنية ومستندات

وثائق الموثوقية
EMT5 DTRTG Reliability Test
موارد التصميم
EMT5 Inner Structure
أوراق البيانات
EMA3T2R EMT5 T2R Taping Spec

معلومات إضافية

الباقة القياسية
8,000

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
RN2710JE(TE85L,F)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
3611
DiGi رقم الجزء
RN2710JE(TE85L,F)-DG
سعر الوحدة
0.05
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
rohm-semi

EMD4T2R

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

rohm-semi

EMG8T2R

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

rohm-semi

EMB11FHAT2R

TRANS 2PNP 100MA EMT6

rohm-semi

FMC3AT148

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT5