الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
R6007KNX
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
R6007KNX-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 46W (Tc) Through Hole TO-220FM
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12818180
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
R6007KNX المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
620mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
470 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
46W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220FM
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
R6007
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
R6007KNX
مخططات البيانات
R6007KNX
ورقة بيانات HTML
R6007KNX-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
R6007KNXDKRINACTIVE
R6007KNXCTINACTIVE
846-R6007KNX
R6007KNXDKR-DG
R6007KNXCT
R6007KNXDKR
R6007KNXCT-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TK8A65D(STA4,Q,M)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
53
DiGi رقم الجزء
TK8A65D(STA4,Q,M)-DG
سعر الوحدة
0.92
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
R6007KNX
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
R6007KNX-DG
سعر الوحدة
1.02
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
IXTP4N70X2M
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
24
DiGi رقم الجزء
IXTP4N70X2M-DG
سعر الوحدة
1.35
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RTQ020N05HZGTR
MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6
RSQ020N03HZGTR
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
RTR030N05HZGTL
MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3
US6U37TR
MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT6