رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RS1E350BNTB1
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
RS1E350BNTB1-DG
وصف:
NCH 30V 80A POWER MOSFET: RS1E35
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 35A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
المخزون:
2425 قطع جديدة أصلية في المخزون
12976072
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RS1E350BNTB1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
35A (Ta), 80A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.7mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
185 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7900 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3W (Ta), 35W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-HSOP
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
RS1E
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
846-RS1E350BNTB1CT
846-RS1E350BNTB1DKR
846-RS1E350BNTB1TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RS1E350BNTB
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
810
DiGi رقم الجزء
RS1E350BNTB-DG
سعر الوحدة
0.65
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
RS1E350BNTB1
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
2425
DiGi رقم الجزء
RS1E350BNTB1-DG
سعر الوحدة
1.19
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RSS060P05HZGTB
PCH -45V -6A POWER MOSFET: RSS06
RSS070N05HZGTB
AUTOMOTIVE NCH 45V 7A POWER MOSF
PSMNR90-50SLHAX
PSMNR90-50SLH/SOT1235/LFPAK88
