الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RS1G180MNTB
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
RS1G180MNTB-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 18A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
المخزون:
2232 قطع جديدة أصلية في المخزون
13525376
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RS1G180MNTB المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
18A (Ta), 80A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
19.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1293 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3W (Ta), 30W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-HSOP
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
RS1G
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
RS1G180MN
HSMT8 TB Taping Spec
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
846-RS1G180MNCT
RS1G180MNTB-ND
846-RS1G180MNDKR
846-RS1G180MNTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
CSD18503Q5A
المُصنِّع
Texas Instruments
الكمية المتاحة
4931
DiGi رقم الجزء
CSD18503Q5A-DG
سعر الوحدة
0.54
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BSC059N04LSGATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
44864
DiGi رقم الجزء
BSC059N04LSGATMA1-DG
سعر الوحدة
0.28
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPC50N04S55R8ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
4727
DiGi رقم الجزء
IPC50N04S55R8ATMA1-DG
سعر الوحدة
0.33
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DMTH4007SPS-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DMTH4007SPS-13-DG
سعر الوحدة
0.37
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RUQ050N02TR
MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
RQ5E030RPTL
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
RD3U080CNTL1
MOSFET N-CH 250V 8A TO252
RQ3E100BNTB
MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT