رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RUF020N02TL
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
RUF020N02TL-DG
وصف:
MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 2A (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount TUMT3
المخزون:
62193 قطع جديدة أصلية في المخزون
13527220
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RUF020N02TL المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
105mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
2 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
180 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
320mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TUMT3
العبوة / العلبة
3-SMD, Flat Leads
رقم المنتج الأساسي
RUF020
مواصفات تقنية ومستندات
دليل ترقيم الأجزاء
وثائق الموثوقية
موارد التصميم
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
RUF020N02TLCT
RUF020N02TLTR
RUF020N02TLDKR
RUF020N02TL-ND
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RS1E320GNTB
MOSFET N-CH 30V 32A 8HSOP
SCT3080ALHRC11
SICFET N-CH 650V 30A TO247N
R6015KNJTL
MOSFET N-CH 600V 15A LPTS