رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
VQ2001P-2
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
VQ2001P-2-DG
وصف:
MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 600mA 2W Through Hole 14-DIP
المخزون:
12816678
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
ITva
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
VQ2001P-2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
4 P-Channel
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
600mA
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2Ohm @ 1A, 12V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
-
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
150pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
2W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
14-DIP
حزمة جهاز المورد
14-DIP
رقم المنتج الأساسي
VQ2001
معلومات إضافية
الباقة القياسية
25
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
ALD1107PBL
المُصنِّع
Advanced Linear Devices Inc.
الكمية المتاحة
154
DiGi رقم الجزء
ALD1107PBL-DG
سعر الوحدة
3.01
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
CSD87381P
MOSFET 2N-CH 30V 15A 5PTAB
IRF7907TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO
KGF20N05D
MOSFET 2N-CH 5.5V 20A 20WLCSP
