رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FCB110N65F
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FCB110N65F-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 35A (Tc) 357W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
4800 قطع جديدة أصلية في المخزون
12838140
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FCB110N65F المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
FRFET®, SuperFET® II
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
35A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
110mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 3.5mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4895 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
357W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
FCB110
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
FCB110N65FCT
FCB110N65FTR
FCB110N65FDKR
2156-FCB110N65F-OS
ONSONSFCB110N65F
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STB37N60DM2AG
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STB37N60DM2AG-DG
سعر الوحدة
3.16
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDP7N60NZ
MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220-3
FDS3580
MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
FQPF6N40CF
MOSFET N-CH 400V 6A TO220F
