FDD6676AS
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDD6676AS

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDD6676AS-DG

وصف:

MOSFET N-CH 30V 90A TO252
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 90A (Ta) 70W (Ta) Surface Mount TO-252AA

المخزون:

12851322
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDD6676AS المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
90A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5.7mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2500 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
70W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
FDD667

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
2,500

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
IRFR3709ZTRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
5910
DiGi رقم الجزء
IRFR3709ZTRLPBF-DG
سعر الوحدة
0.30
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DMN3009SK3-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
817
DiGi رقم الجزء
DMN3009SK3-13-DG
سعر الوحدة
0.17
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FDME430NT

MOSFET N-CH 30V 6A MICROFET1.6

onsemi

FQNL1N50BTA

MOSFET N-CH 500V 270MA TO92-3

onsemi

HUF75639S3

MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK

onsemi

HUF75631S3S

MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK