رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDP4D5N10C
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDP4D5N10C-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 128A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 128A (Tc) 2.4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
670 قطع جديدة أصلية في المخزون
12849888
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDP4D5N10C المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
128A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 310µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5065 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.4W (Ta), 150W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FDP4D5
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
2156-FDP4D5N10C-488
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AOB2918L
MOSFET N-CH 100V 13A/90A TO263
FQAF16N50
MOSFET N-CH 500V 11.3A TO3PF
BUZ11_R4941
MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3
