رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTTS2P03R2
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTTS2P03R2-DG
وصف:
MOSFET P-CH 30V 2.1A MICRO8
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 2.1A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 8-MSOP
المخزون:
12842345
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTTS2P03R2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.1A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
85mOhm @ 2.48A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
22 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
500 pF @ 24 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
600mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-MSOP
العبوة / العلبة
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
رقم المنتج الأساسي
NTTS2P
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
NTTS2P03R2OS
2156-NTTS2P03R2-ONTR
ONSONSNTTS2P03R2
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF7606TRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
8585
DiGi رقم الجزء
IRF7606TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.23
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
ZXM64P03XTA
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
1959
DiGi رقم الجزء
ZXM64P03XTA-DG
سعر الوحدة
0.55
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTD60N02RT4G
MOSFET N-CH 25V 8.5A/32A DPAK
NTLGF3501NT2G
MOSFET N-CH 20V 2.8A 6DFN
NTTFS5116PLTAG
MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
