رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RFP4N100
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
RFP4N100-DG
وصف:
MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 1000 V 4.3A (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
12848308
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RFP4N100 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1000 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.3A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.5Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
120 nC @ 20 V
ميزة FET
-
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
RFP4N
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STP5NK100Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
3779
DiGi رقم الجزء
STP5NK100Z-DG
سعر الوحدة
1.69
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP8NK100Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
909
DiGi رقم الجزء
STP8NK100Z-DG
سعر الوحدة
2.24
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AOI1N60L
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
FDMS86163P
MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
FDFMA3N109
MOSFET N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
